希ガスも化合物を作る
希ガスは非常に安定した電子配置を持っており、殆どの場合では化合物は作らず単原子分子として存在しています。
しかし、キセノンXeはフッ素F2と400℃で加熱すると四フッ化キセノンXeF4と呼ばれる物質を形成することが発見されました。
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キセノン以外の希ガス元素では、ラドンはフッ素とっ反応して二フッ化ラドンRnF2を形成し、クリプトンKrは二フッ化クリプトンKrF2を形成します。アルゴンはアルゴンフッ素水素化物HArFを生じます。
希ガスの化合物はフッ素とのものが多いです。フッ素は電気陰性度が極めて強いため、無理やりに結合を作ります。そうすると、電子の数が多くなりオクテット則を満たさないのですが、特殊な軌道を作ることで電子が非局在化し、安定するようになります。
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フッ素最強すぎる…。